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快速退火爐RTP-150RL

快速退火爐RTP-150RL產品介紹一、簡介1.1 概要RTP-150RL是在保護氣氛下的桌面式快速退火系統,以紅外可見光加熱單片 Wafer或樣品,工藝時間短,控溫精度高,適用最大6英寸晶片。相對于傳統擴散爐退火系統和其他RTP系統,其獨特的腔體設計、先進的溫度控制技術和獨有的RL900軟件控制系統,確保了極好的熱均勻性。 

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快速退火爐RTP-150RL產品介紹

一、簡介
1.1 概要
RTP-150RL是在保護氣氛下的桌面式快速退火系統,以紅外可見光加熱單片 Wafer或樣品,工藝時間短,控溫精度高,適用最大6英寸晶片。相對于傳統擴散爐退火系統和其他RTP系統,其獨特的腔體設計、先進的溫度控制技術和獨有的RL900軟件控制系統,確保了極好的熱均勻性。
 
 
1.2 產品特點

  •  紅外鹵素燈管加熱,冷卻采用風冷

  •  燈管功率PID控溫,可精準控制溫度升溫,保證良好的重現性與溫度均勻性

  •  采用平行氣路進氣方式,氣體的進入口設置在Wafer表面,避免退火過程中冷點產生,保證產品良好的溫度均勻性

  •  大氣與真空處理方式均可選擇,進氣前氣體凈化處理

  •  標配兩組工藝氣體,最多可擴展至6組工藝氣體

  •  可測單晶片樣品的最大尺寸為6英寸(150×150mm)

  •  采用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權限保護以及設備急停安全保護三重安全措施,全方位保障儀器使用安全

 
1.3 RTP行業應用

  •  氧化物、氮化物生長

  •  硅化物合金退火

  •  砷化鎵工藝

  •  歐姆接觸快速合金

  •  氧化回流

  •  其他快速熱處理工藝

  •   離子注入激活

行業領域:

  •   芯片制造 生物醫學 納米技術

  •   MEMS LEDs 太陽能電池

  •   化合物產業 :GaAs,GaN,GaP,

  •   GaInP,InP,SiC

  •   光電產業:平面光波導,激光,VCSELs

 
 
 
二、技術規格
2.1參數

RTP-RL150
最大產品尺寸6英寸晶圓或者最大支持150×150mm產品
溫度范圍室溫~1250℃
最高升溫速度150℃/s
溫度均勻度±1%
溫控方式快速PID溫控
降溫速度200℃/min(1000~400℃)
腔體設計可配置大氣常壓腔體或者真空腔體
腔體冷卻方式水冷腔體,獨立水冷源控制冷卻
襯底冷卻方式氮氣吹掃
工藝氣體MFC控制,常規兩路氣體,最大可擴充至6路氣體

 
 
 
 快速退火爐RTP-150RL可制作的產品
 

 
 
 
 
 
  快速退火爐RTP-150RL生產線一覽
 



技術規格
2.1參數

RTP-RL150
最大產品尺寸6英寸晶圓或者最大支持150×150mm產品
溫度范圍室溫~1250℃
最高升溫速度150℃/s
溫度均勻度±1%
溫控方式快速PID溫控
降溫速度200℃/min(1000~400℃)
腔體設計可配置大氣常壓腔體或者真空腔體
腔體冷卻方式水冷腔體,獨立水冷源控制冷卻
襯底冷卻方式氮氣吹掃
工藝氣體MFC控制,常規兩路氣體,最大可擴充至6路氣體


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